Գործնականում, երբ տրանզիստորն անջատված է, փոքր արտահոսքի հոսանքները հոսում են տրանզիստորի միջով, և երբ ամբողջովին «միացված» է, սարքն ունի ցածր դիմադրության արժեք՝ առաջացնելով փոքր հագեցվածության լարում (VCE) դրա վրայով: … Երբ կոլեկտորի առավելագույն հոսանքը հոսում է, տրանզիստորը համարվում է հագեցած:
Ի՞նչ է նշանակում տրանզիստորի հագեցվածության հոսանքը:
Երկբևեռ տրանզիստորի հագեցվածությունը նշանակում է, որ հոսանքի բազայի հետագա աճը տեղի չի ունենում (գրեթե) կոլեկտորի հոսանքի ավելացումը (արտադրիչը հակադարձ ռեժիմում): Այս ռեժիմը չի կարելի սխալ անվանել: Որոշ դեպքերում (անջատման միացում) կամ տրանզիստորը հագեցվածության մեջ կամ փակ է:
BJT-ն ընթացիկ հագեցվածություն է:
Դուք չեք կարող գտնել այն, քանի որ չկա «Հագեցվածության հոսանք» իրական BJT-ում: Ebers-Moll մոդելում կլինեն ռեժիմի բազմաթիվ պարամետրեր, որոնք դուք չեք կարողանա գտնել տվյալների աղյուսակում: Նաև նկատի ունեցեք, որ չկա ֆիքսված կետ, որտեղ BJT-ը հանկարծակի մտնում է / դուրս է գալիս հագեցվածությունից:
Ի՞նչ է հագեցվածության հոսանքը NPN տրանզիստորում:
Տրանզիստորը անցնում է հագեցվածության, երբ և՛ բազային թողարկիչի, և՛ հիմքի կոլեկտորի հանգույցները հիմնականում դեպի առաջ կողմնակալ են: Այսպիսով, եթե կոլեկտորի լարումը իջնում է բազային լարման տակ, իսկ թողարկիչի լարումը ցածր է բազային լարման -ից, ապա տրանզիստորը գտնվում է հագեցվածության մեջ: Դիտարկենք այս ընդհանուր թողարկիչ ուժեղացուցիչի միացումը:
Ինչու է VBE 0.7 V?
Theբազային էմիտերի հանգույցը PN հանգույց է կամ կարող եք դա համարել որպես դիոդ: Եվ լարման անկումը սիլիկոնային դիոդի վրա, երբ առաջ կողմնորոշված է~0.7V է: Ահա թե ինչու գրքերի մեծ մասը գրում է VBE=0.7V, NPN սիլիկոնային տրանզիստորի համար, որն ունի սենյակային ջերմաստիճանի առաջ կողմնակալ էմիտերի միացում:
